美国的美光科技和日本的东电电子等20多家日美半导体相关企业将共同开发可大幅提高智能手机等移动设备性能的新一代存储器的量产技术。相比目前的存储器，新一代存储器的存储容量将提高至10倍，而电子设备的耗电量将减少至约2/3。力争2016年度确立技术，美光科技将于2018年启动量产。而国际竞争力强的日本材料和装置厂商将团结起来，掌握新一代存储器开发的主导权。
今后将开发的是被称为新型磁性随机存储器(MRAM)的新一代存储器。东芝将携手韩国SK海力士展开共同开发，而韩国三星电子也在进行研究。日美联盟将积极呼吁国内外半导体相关厂商参与开发计划，以尽快确立MRAM的基础技术。
参与共同开发的厂商除了今年7月收购尔必达存储器的半导体巨头美光科技之外，还包括世界第3大半导体制造装置厂商东电电子、世界最大半导体晶圆制造商信越化学工业、大型半导体厂商瑞萨电子和日立制作所等。各公司将向日本东北大学派出研究人员，投入数十人，自明年年初开始全面启动开发。该大学教授远藤哲郎领导的团队将主导此项研究。
各公司将共享从所用材料、电路机构到工厂制造工序等的基础技术，以尽早实现量产。美光科技将讨论在尔必达旗下广岛工厂进行生产。
MRAM即使切断电源也不会丢失数据，同时有望实现大幅节能。相比用于个人电脑和智能手机的DRAM，存储容量和写入速度将提高至10倍，而智能手机等的反应将更加迅速。每次充电可使用智能手机的时间也将从目前的最多数十小时延长至数百小时。而在保存大量信息的数据中心，也有望作为数据处理存储器使用。
DRAM一直在通过电子电路的微细化来扩大存储容量，但最尖端产品的电路线宽仅为20纳米左右，进一步缩小宽度越来越困难。因此，各企业正在研究结构不同的半导体，而MRAM被视为很有潜力。
作为代表性半导体，DRAM于1970年由美国英特尔公司实现实用化。日本各电子公司在上世纪80年代中期曾占世界市场合计约80%份额。之后，不断被韩国企业夺走份额，而整合日立制作所、NEC和三菱电机业务而组建的尔必达存储器成为日本国内唯一厂商，但2012年陷入破产。随后被美国美光科技收购。2012年全球DRAM市场规模为264亿美元。
